+7 (8332) 21-40-40
Розничный и оптовый отделы
+7 (8332) 21-40-40
Корзина
Каталог товаров
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор IHW20N120R3(H20R1203) TO-247 Infineon MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,40A/60A,1.48V,ns/25ns ,310W,;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор IHW20N120R3(H20R1203) TO-247 Infineon MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,40A/60A,1.48V,ns/25ns ,310W,;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.
                                                                                                                                                                                                                          445 ₽/шт от 1 шт

                                                                                                                                                                                                                          Транзистор IHW20N120R3(H20R1203) TO-247 Infineon MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,40A/60A,1.48V,ns/25ns ,310W,;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.

                                                                                                                                                                                                                          Наличие:
                                                                                                                                                                                                                          В наличии
                                                                                                                                                                                                                          Артикул
                                                                                                                                                                                                                          00015920
                                                                                                                                                                                                                          Производитель
                                                                                                                                                                                                                          Infineon
                                                                                                                                                                                                                          • Корпус: TO-247
                                                                                                                                                                                                                          • Структура: MOS-N-IGBT+Di
                                                                                                                                                                                                                          • Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 1200V
                                                                                                                                                                                                                          • Ток коллектора максимальный (Ic): 20A
                                                                                                                                                                                                                          • Мощность максимальная (Pd): 310W

                                                                                                                                                                                                                          Возможные замены

                                                                                                                                                                                                                          Транзистор IHW20N120R3 (H20R1203) TO-247 Kingdazzle Sem MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,40A/60A,1.48V,ns/25ns ,310W,;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр. Увеличить
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор IHW20N120R3 (H20R1203) TO-247 Kingdazzle Sem MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,40A/60A,1.48V,ns/25ns ,310W,;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.
                                                                                                                                                                                                                          250 ₽/шт от 1 шт
                                                                                                                                                                                                                          230 ₽/шт от 3 шт
                                                                                                                                                                                                                          Мы используем cookie файлы
                                                                                                                                                                                                                          Подробнее