- Корпус: TO-247
- Структура: MOS-N-IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 1600V
- Ток коллектора максимальный (Ic): 75A
- Мощность максимальная (Pd): 300W
MOS-N-IGBT;NPT High Voltage IGBT;1600V,75A/200A,2.5V,47ns/86ns,300W;; Импульсные цепи,емкостные нагрузки
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется