+7 (8332) 21-40-40

Розничный и оптовый отделы

+7 (8332) 21-40-40

Корзина

Транзисторы и модули IGBT

Транзистор HGTG12N60A4D TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series,<75kHz;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания

Транзистор HGTG12N60A4D TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series,<75kHz;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания

Name: Транзистор HGTG12N60A4D TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series,<75kHz;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания
Brand: ON Semiconductor
SKU: 00020880
Price: 356.3 RUR
Availability: OutOfStock

Наличие:

Нет в наличии

Артикул

00020880

Производитель

ON Semiconductor

Технические характеристики

Корпус: TO-247
Структура: MOS-N-IGBT+Di
Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 600V
Ток коллектора максимальный (Ic): 12A
Мощность максимальная (Pd): 170W