+7 (8332) 21-40-40

Розничный и оптовый отделы

+7 (8332) 21-40-40

Корзина

Транзисторы полевые

Транзистор SiRA02DP-T1-GE3 PQFN5x6(TDSON-8) VISHAY N-MOSFET;V-MOS;30V,40A,0.00215R,62.5W

Транзистор SiRA02DP-T1-GE3 PQFN5x6(TDSON-8) VISHAY N-MOSFET;V-MOS;30V,40A,0.00215R,62.5W

Транзистор SiRA02DP-T1-GE3 PQFN5x6(TDSON-8) VISHAY N-MOSFET;V-MOS;30V,40A,0.00215R,62.5W

Наличие:

Нет в наличии

Артикул

00024804

Производитель

VISHAY

Технические характеристики

Корпус: PQFN5x6(TDSON-8)
Структура: N-MOSFET
Напряжение максимальное сток-исток (Vdss): 30V
Ток максимальный стока (Id) кристалла: 40A
Сопротивление сток-исток минимальное (Rds(on)): 0.00215 Om
Мощность максимальная (Pd): 62.5W
Особенности: V-MOS