MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,35A/250A,1.4V,100ns/180ns,20W,;;Плазменные ТВ,дисплеи
- Корпус: TO220F
- Структура: MOS-N-IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 360V
- Ток коллектора максимальный (Ic): 35A
MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,35A/250A,1.4V,100ns/180ns,20W,;;Плазменные ТВ,дисплеи
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется