- Корпус: TO-3P
- Структура: MOS-N-IGBT+Di
- Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 600V
- Ток коллектора максимальный (Ic): 80A
MOS-N-IGBT+Di;600V,80A
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется
Уважаемые покупатели!
По техническим причинам магазин и сайт компании «Алми» не работают с 16:00 31.12.2025 до 09:00 07.01.2026.
Приносим извинения за временные неудобства.