+7 (8332) 21-40-40
Розничный и оптовый отделы
+7 (8332) 21-40-40
Корзина
Каталог товаров
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор IHW30N120R2(H30R1202) TO-247 Infineon MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT2;1200V,60A/90A,1.65V,ns/33ns ,390W;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор IHW30N120R2(H30R1202) TO-247 Infineon MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT2;1200V,60A/90A,1.65V,ns/33ns ,390W;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.
                                                                                                                                                                                                                          540 ₽/шт от 1 шт

                                                                                                                                                                                                                          Транзистор IHW30N120R2(H30R1202) TO-247 Infineon MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT2;1200V,60A/90A,1.65V,ns/33ns ,390W;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.

                                                                                                                                                                                                                          Наличие:
                                                                                                                                                                                                                          В наличии
                                                                                                                                                                                                                          Артикул
                                                                                                                                                                                                                          00039635
                                                                                                                                                                                                                          Производитель
                                                                                                                                                                                                                          Infineon
                                                                                                                                                                                                                          • Корпус: TO-247
                                                                                                                                                                                                                          • Структура: MOS-N-IGBT+Di
                                                                                                                                                                                                                          • Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 1200V
                                                                                                                                                                                                                          • Ток коллектора максимальный (Ic): 30A
                                                                                                                                                                                                                          • Мощность максимальная (Pd): 390W

                                                                                                                                                                                                                          Возможные замены

                                                                                                                                                                                                                          Транзистор IHW30N120R2(H30R1202) TO-247 MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT2;1200V,60A/90A,1.65V,ns/33ns ,390W;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр. Увеличить
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор IHW30N120R2(H30R1202) TO-247 MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT2;1200V,60A/90A,1.65V,ns/33ns ,390W;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.
                                                                                                                                                                                                                          275 ₽/шт от 1 шт
                                                                                                                                                                                                                          241.73 ₽/шт от 3 шт
                                                                                                                                                                                                                          Мы используем cookie файлы
                                                                                                                                                                                                                          Подробнее