+7 (8332) 21-40-40
Розничный и оптовый отделы
+7 (8332) 21-40-40
Корзина
Каталог товаров
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор STD1NK60T4 DPAK(TO252) STMicroelectronics N-MOSFET;V-MOS;600V,1A,7.3R,45W
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор STD1NK60T4 DPAK(TO252) STMicroelectronics N-MOSFET;V-MOS;600V,1A,7.3R,45W
                                                                                                                                                                                                                          41.90 ₽/шт от 1 шт
                                                                                                                                                                                                                          34.28 ₽/шт от 3 шт

                                                                                                                                                                                                                          Транзистор STD1NK60T4 DPAK(TO252) STMicroelectronics N-MOSFET;V-MOS;600V,1A,7.3R,45W

                                                                                                                                                                                                                          Наличие:
                                                                                                                                                                                                                          В наличии
                                                                                                                                                                                                                          Артикул
                                                                                                                                                                                                                          00041183
                                                                                                                                                                                                                          Производитель
                                                                                                                                                                                                                          STMicroelectronics
                                                                                                                                                                                                                          • Корпус: DPAK(TO252)
                                                                                                                                                                                                                          • Структура: N-MOSFET
                                                                                                                                                                                                                          • Напряжение максимальное сток-исток (Vdss): 600V
                                                                                                                                                                                                                          • Ток максимальный стока (Id) кристалла: 1A
                                                                                                                                                                                                                          • Сопротивление сток-исток минимальное (Rds(on)): 7.3 Om
                                                                                                                                                                                                                          • Мощность максимальная (Pd): 45W
                                                                                                                                                                                                                          • Особенности: V-MOS

                                                                                                                                                                                                                          Возможные замены

                                                                                                                                                                                                                          Транзистор FQU1N60C IPAK(TO-251) FAIRCHILD N-MOSFET;V-MOS;600V,1A,11.5R,2.5W Увеличить
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор FQU1N60C IPAK(TO-251) FAIRCHILD N-MOSFET;V-MOS;600V,1A,11.5R,2.5W
                                                                                                                                                                                                                          55 ₽/шт от 1 шт
                                                                                                                                                                                                                          Мы используем cookie файлы
                                                                                                                                                                                                                          Подробнее