- Корпус: DPAK(TO252)
- Структура: N-MOSFET
- Напряжение максимальное сток-исток (Vdss): 600V
- Ток максимальный стока (Id) кристалла: 7A
- Сопротивление сток-исток минимальное (Rds(on)): 0.5 Om
- Мощность максимальная (Pd): 60W
- Особенности: DTMOS
- Производитель: Toshiba