- Корпус: PQFN5x6(TDSON-8)
- Структура: N-MOSFET
- Напряжение максимальное сток-исток (Vdss): 30V
- Ток максимальный стока (Id) кристалла: 100A
- Сопротивление сток-исток минимальное (Rds(on)): 0.0027 Om
- Мощность максимальная (Pd): 3.2W
N-MOSFET;NexFET;30V,100A/32A,0.0027R,3.2W
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется