- Корпус: TO-3P
- Структура: MOS-N-IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 650V
- Ток коллектора максимальный (Ic): 60A
- Мощность максимальная (Pd): 310W
MOS-N-IGBT+Di;Field Stop Trench,,3 покол.;650V,120A/180A,1.8V,67.2ns/22ns,306W ,110ns;;Промышленная сварка,PFC.
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется