- Корпус: SO8
- Структура: N-MOSFET
- Напряжение максимальное сток-исток (Vdss): 30V
- Ток максимальный стока (Id) кристалла: 9A
- Сопротивление сток-исток минимальное (Rds(on)): 0.019 Om
- Мощность максимальная (Pd): 3.1W
- Особенности: V-MOS
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется