+7 (8332) 21-40-40

Розничный и оптовый отделы

+7 (8332) 21-40-40

Корзина

Транзисторы и модули IGBT

Транзистор HGTG10N120BND TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;NPT;1200V,35A/80A,2.45V,21ns/190ns,298W,,Управление двигателями AC и DC, ИП и драйверы для соленоидов, реле и контакторов

Транзистор HGTG10N120BND TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;NPT;1200V,35A/80A,2.45V,21ns/190ns,298W,,Управление двигателями AC и DC, ИП и драйверы для соленоидов, реле и контакторов

Name: Транзистор HGTG10N120BND TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;NPT;1200V,35A/80A,2.45V,21ns/190ns,298W,,Управление двигателями AC и DC, ИП и драйверы для соленоидов, реле и контакторов
Brand: ON Semiconductor
SKU: 00053833
Availability: OutOfStock

Наличие:

Нет в наличии

Артикул

00053833

Производитель

ON Semiconductor

Технические характеристики

Корпус: TO-247
Структура: MOS-N-IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 1200V
Ток коллектора максимальный (Ic): 35A