- Корпус: TO-3P
- Структура: MOS-N-IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 1200V
- Ток коллектора максимальный (Ic): 50A
- Мощность максимальная (Pd): 312W
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется