MOS-N-IGBT+Di;400V,200A,25W
- Корпус: TO220F
- Структура: MOS-N-IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 430V
- Мощность максимальная (Pd): 25W
MOS-N-IGBT+Di;400V,200A,25W
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется