+7 (8332) 21-40-40
Розничный и оптовый отделы
+7 (8332) 21-40-40
Корзина
Каталог товаров
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор AO4468 SO8 HuaXuanYang Electronics CO.,LT N-MOSFET;V-MOS;30V,8.5A,0.018R,1.5W
                                                                                                                                                                                                                          Новинка
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор AO4468 SO8 HuaXuanYang Electronics CO.,LT N-MOSFET;V-MOS;30V,8.5A,0.018R,1.5W
                                                                                                                                                                                                                          15 ₽/шт от 1 шт
                                                                                                                                                                                                                          12.59 ₽/шт от 3 шт

                                                                                                                                                                                                                          Транзистор AO4468 SO8 HuaXuanYang Electronics CO.,LT N-MOSFET;V-MOS;30V,8.5A,0.018R,1.5W

                                                                                                                                                                                                                          Наличие:
                                                                                                                                                                                                                          В наличии
                                                                                                                                                                                                                          Артикул
                                                                                                                                                                                                                          00127552
                                                                                                                                                                                                                          Производитель
                                                                                                                                                                                                                          HuaXuanYang Electronics CO.,LT
                                                                                                                                                                                                                          • Корпус: SO8
                                                                                                                                                                                                                          • Структура: N-MOSFET
                                                                                                                                                                                                                          • Напряжение максимальное сток-исток (Vdss): 30V
                                                                                                                                                                                                                          • Ток максимальный стока (Id) кристалла: 8.5A
                                                                                                                                                                                                                          • Сопротивление сток-исток минимальное (Rds(on)): 0.018 Om
                                                                                                                                                                                                                          • Мощность максимальная (Pd): 1.5W

                                                                                                                                                                                                                          Возможные замены

                                                                                                                                                                                                                          Транзистор AO4468 SO8 JSMSEMI N-MOSFET;V-MOS;30V,10.5A,0.017R,3.1W Увеличить
                                                                                                                                                                                                                          Транзистор AO4468 SO8 JSMSEMI N-MOSFET;V-MOS;30V,10.5A,0.017R,3.1W
                                                                                                                                                                                                                          22 ₽/шт от 1 шт
                                                                                                                                                                                                                          Мы используем cookie файлы
                                                                                                                                                                                                                          Подробнее