+7 (8332) 21-40-40

Розничный и оптовый отделы

+7 (8332) 21-40-40

Корзина

Транзисторы и модули IGBT

Транзистор HGTG30N60A4D TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series;600V,75A/240A,1.8V,25ns/150ns,463W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания

720 ₽/шт от 1 шт

Транзистор HGTG30N60A4D TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series;600V,75A/240A,1.8V,25ns/150ns,463W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания

Name: Транзистор HGTG30N60A4D TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series;600V,75A/240A,1.8V,25ns/150ns,463W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания
Brand: ON Semiconductor
SKU: 3162
Price: 720 RUR
Availability: InStock

Наличие:

В наличии

Артикул

3162

Производитель

ON Semiconductor

Технические характеристики

Корпус: TO-247
Структура: MOS-N-IGBT+Di
Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 600V
Ток коллектора максимальный (Ic): 75A
Мощность максимальная (Pd): 463W