- Корпус: DIP8
- Структура: NP-MOSFET
- Напряжение максимальное сток-исток (Vdss): 35V
- Ток максимальный стока (Id) кристалла: 6.1A
- Сопротивление сток-исток минимальное (Rds(on)): 0.025 Om / 0.04 Om
- Мощность максимальная (Pd): 2W
- Особенности: V-MOS
NP-MOSFET;V-MOS;35V,7A/6.1A,0.025R/0.04R,2W
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется