- Корпус: SOT223(TO-261A)
- Структура: MOS-N-FET-e
- Технология: HITFET
- Напряжение максимальное сток-исток (Vds): 60V
- Ток максимальный стока (Id): 1A
- Сопротивление сток-исток минимальное (Rds(on)): 0.55 Om
- Мощность максимальная (Pd): 1.8W
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется