- Корпус: SO8
- Структура: 2N-MOSFET
- Напряжение максимальное сток-исток (Vdss): 30V
- Ток максимальный стока (Id) кристалла: 9.8A
- Сопротивление сток-исток минимальное (Rds(on)): 0.0135 Om
- Мощность максимальная (Pd): 2W
2N-MOSFET;V-MOS;30V,7.5/9.8A,0.022/0.035R,2W
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется