MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,30A/200A,1.5V,80ns/150ns,50W,;;Плазменные ТВ,дисплеи
- Корпус: DPAK(TO252)
- Структура: MOS-N-IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 360V
- Ток коллектора максимальный (Ic): 30A
MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,30A/200A,1.5V,80ns/150ns,50W,;;Плазменные ТВ,дисплеи
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется