MOS-N-IGBT;L,Voltage Clamped;400V,18A
- Корпус: D2PAK(TO263)
- Структура: MOS-N-IGBT
- Особенности: L,Voltage Clamped
- Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 400V
- Ток коллектора максимальный (Ic): 18A
MOS-N-IGBT;L,Voltage Clamped;400V,18A
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется