- Корпус: D2PAK(TO263)
- Структура: MOS-N-IGBT-e
- Особенности: V-MOS
- Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 430V
- Ток коллектора максимальный (Ic): 21A
- Мощность максимальная (Pd): 150W
MOS-N-IGBT-e;V-MOS;430V,21A,0.022R,150W
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется