MOS-N-IGBT;PDP Trench,,;360V,/220A,1.19V,20ns/182ns,28,4W,;;Плазменные ТВ,бытовая техника,осветительные приборы.
- Корпус: TO220F
- Структура: MOS-N-IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 360V
- Ток коллектора максимальный (Ic): 220A
MOS-N-IGBT;PDP Trench,,;360V,/220A,1.19V,20ns/182ns,28,4W,;;Плазменные ТВ,бытовая техника,осветительные приборы.
После обработки заявки мы отправим ответ с условиями поставки на электронную почту
Полная взаимозаменяемость не гарантируется