Розничный и оптовый отделы
+7 (8332) 21-40-40
Каталог товаров
        Транзистор RJP30H2A D2PAK(TO263) HIT MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,35A/250A,1.4V,100ns/180ns,60W,;;Плазменные ТВ,дисплеи
        125 /шт от 1 шт
        118.75 /шт от 3 шт

        Транзистор RJP30H2A D2PAK(TO263) HIT MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,35A/250A,1.4V,100ns/180ns,60W,;;Плазменные ТВ,дисплеи

        Наличие:
        В наличии
        Артикул
        00065120
        Производитель
        HIT
        • Корпус: D2PAK(TO263)
        • Структура: MOS-N-IGBT
        • Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vces): 360V
        • Ток коллектора максимальный (Ic): 35A
        • Мощность максимальная (Pd): 60W